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國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房,提前封頂啦!

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國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房,提前封頂啦!

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國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房,提前封頂啦!
 
  9月28日,開工9個月的國家存儲器基地項目(一期)一號生產及動力廠房,實現提前封頂,項目建設向前邁出堅實一步!
  在項目前期工作中,葛化集團參與基礎設施的建設服務,締造了”葛化速度“,為項目的順利實施夯實了基礎。該項目于2016年12月30日正式開工,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。此次提前封頂的項目(一期)一號生產及動力廠房建筑面積達52.4萬㎡,預計將于2018年投入使用。項目(一期)達產后,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。
  國家存儲器基地是我國發展集成電路產業的重要組成部分,對于填補國內主流存儲器領域空白、保障國家信息安全具有重要的戰略意義。國家存儲器基地的逐步建成,標志著中國存儲芯片產業規模化發展實現”零“的突破,這是”國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作“新模式的成功探索。
  未來,這里將建起”航母級芯片工廠“,我國存儲器產業的發展也將再上新臺階。
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